電波暗室按用(yong)途可分(fen)為天(tian)線圖測試室、雷(lei)達截面測試室、電磁(ci)兼容(EMC)測試(shi)室、電子戰(對抗)測試(shi)室。

這是使用較為廣(guang)泛的(de)一種電(dian)(dian)波暗室(shi)，對于一般的(de)電(dian)(dian)子產品，在其投入市場正式使用前都(dou)要進行輻射發射和輻射抗擾度(du)的(de)測試(shi)，以便判斷產品是否可以投入市場，電(dian)(dian)磁兼容(rong)測試(shi)室(shi)便可以完成(cheng)測試(shi)任務。

模擬實戰電(dian)磁干擾(rao)情況(kuang)下裝備(bei)系統的工(gong)作狀況(kuang)。

電波暗室按形狀可分為矩形電波暗室、錐型電波暗室。

目前大部分(fen)電(dian)波暗室都建(jian)造(zao)成矩形，標準3m法(fa)、5m法和10m法暗室都(dou)是指矩(ju)形暗室。

這種暗室可以(yi)有效(xiao)的(de)避免側面(mian)、頂面(mian)和(he)地面(mian)的(de)反射，而(er)這些因(yin)素經常會影響矩形電波暗室的(de)性能。矩形電波暗室在低頻(1GHz以下)性能比較差，錐形電波暗室就沒有(you)這個(ge)缺點。所以它(ta)常用來(lai)試驗或測(ce)量衛星通信(xin)以及整(zheng)個(ge)衛星。

按照內表面吸波材料的粘貼方式，可將暗室分為半電波暗室、全電波暗室和改進型半電波暗室。

半電(dian)波暗(an)室(shi)是(shi)除了地面(接地平板(ban))之外，其余五(wu)面都裝有吸波(bo)(bo)材料的(de)屏蔽室。作為室外開闊試驗場地的(de)替代場所，半電(dian)波(bo)(bo)暗室已(yi)被國內外標準認可，成(cheng)為應用(yong)廣泛的(de)EMC測試場所。但(dan)半電(dian)波(bo)(bo)暗室(shi)存在自身(shen)缺陷，如天(tian)線(xian)的升降(jiang)，地平(ping)面電(dian)磁波(bo)(bo)反射等引起的測量(liang)值的不穩定。半電(dian)波(bo)(bo)暗室(shi)被用于EMC輻射發射和(he)電(dian)磁(ci)輻射(she)敏感(gan)度測(ce)量。主(zhu)要性(xing)能指標用歸一化場地衰減(NSA)和測試面場均勻性(FU)來(lai)衡量(liang)。

全電(dian)波(bo)(bo)(bo)暗(an)(an)室(shi)(shi)是內(nei)表面全部裝有吸(xi)波(bo)(bo)(bo)材料的(de)(de)屏蔽(bi)室(shi)(shi)。用(yong)來模(mo)(mo)擬自由(you)(you)空(kong)間(jian)的(de)(de)傳播(bo)環境。全電(dian)波(bo)(bo)(bo)暗(an)(an)室(shi)(shi)摒(bing)棄(qi)了(le)平(ping)(ping)面大地干(gan)涉原理，解(jie)決了(le)半電(dian)波(bo)(bo)(bo)暗(an)(an)室(shi)(shi)固有的(de)(de)許(xu)多缺陷。同時由(you)(you)于(yu)模(mo)(mo)擬自由(you)(you)空(kong)間(jian)，沒(mei)有反射的(de)(de)發生(sheng)，不(bu)存在干(gan)涉模(mo)(mo)型，對水平(ping)(ping)極化(hua)、垂直極化(hua)的(de)(de)一致性較(jiao)好(hao)；并且不(bu)存在3m和10m之爭，有(you)時候只需3m即可(ke)，為電磁兼容測(ce)試(shi)提供(gong)了一種低造價、低費(fei)用(yong)、方(fang)便高效、靈活準(zhun)確的測(ce)試(shi)方(fang)法。全電波暗室主要(yao)用(yong)于微波天線系統(tong)的參(can)數(shu)測(ce)量。通常用(yong)靜區，反射率電平，交叉極化(hua)度(du)，多(duo)路徑(jing)損耗，幅度(du)均勻性和工(gong)作(zuo)頻率等(deng)六項指標來表示。

改進(jin)型半電波(bo)暗室(shi)是(shi)在接地(di)(di)平板上裝(zhuang)有附加(jia)吸波(bo)材料(liao)的半電波(bo)暗室(shi)。由(you)于電波(bo)暗室(shi)不僅是(shi)騷擾(rao)輻射的測(ce)(ce)試(shi)場地(di)(di)，也是(shi)抗擾(rao)度(du)測(ce)(ce)試(shi)場地(di)(di)。設備抗擾(rao)度(du)(設備敏感(gan)度)測試(shi)時評估(gu)EUT對來自(zi)空間的(de)輻(fu)射(she)(she)電磁場(chang)的(de)抗擾性能(neng)，該測試(shi)應(ying)(ying)在(zai)電波暗(an)室(shi)中進行，地(di)面上(shang)應(ying)(ying)鋪設吸波材(cai)料。因此，對于(yu)半電波暗(an)室(shi)，測試(shi)時必須把吸波材(cai)料補上(shang)，使之沒有反射(she)(she)，這就變成了改(gai)進型半電波暗(an)室(shi)。在(zai)測試(shi)輻(fu)射(she)(she)發射(she)(she)時將吸波材(cai)料移走，又還原(yuan)成半電波暗(an)室(shi)。

電波(bo)暗(an)室(shi)按照尺寸大小可分為(wei)超緊(jin)縮型(xing)預測式(shi)全波(bo)暗(an)室(shi)、小實用尺寸電波(bo)暗(an)室(shi)、小型(xing)電波(bo)暗(an)室(shi)、3米法電波暗室(shi)、5m法電波(bo)暗室、10m法電波(bo)暗室。